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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106067244A | 一种用于周界探测系统的传感器阈值自适应调节方法及系统 | 2016.11.02 | 一种用于周界探测系统的传感器阈值自适应调节方法及系统，本系统在传统探测系统的基础上添加了对现场样本库 |
| 2 | CN106067656A | 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 | 2016.11.02 | 本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位 |
| 3 | CN103108387B | 一种应用于农业的多跳无线自组织网络的建立方法 | 2016.09.28 | 本发明涉及应用于农业的多跳无线自组织网络的建立方法，包括以下步骤：初始网络中包括源节点，子节点列表和 |
| 4 | CN105977145A | 一种应变量子点的制备方法及应变量子点 | 2016.09.28 | 本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在 |
| 5 | CN200989904Y | 一种模拟受体信号分子的多肽生物芯片结构 | 2007.12.12 | 本实用新型涉及一种模拟受体信号分子的多肽生物芯片结构，其特征在于所述的多肽芯片是在玻璃底层(1)上镀 |
| 6 | CN100998901A | 多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法 | 2007.07.18 | 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直， |
| 7 | CN101339921A | 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法 | 2009.01.07 | 本发明涉及双浅沟道隔离(dual－STI)的双极型晶体管阵列的制造方法，其特征在于制造方法中，避免了 |
| 8 | CN1290962C | 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液 | 2006.12.20 | 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(Ba<SUB>x</SUB>Sr<SUB> |
| 9 | CN101459129A | 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 | 2009.06.17 | 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省 |
| 10 | CN103269231B | BCH码检纠错方法、电路及容错存储器 | 2016.09.21 | 本发明提供一种BCH码检纠错方法、电路及容错存储器。根据本发明的方法，先基于已经过BCH编码的待检验 |
| 11 | CN101599609A | 一种柔性器件的互连方法及所用的柔性连接器 | 2009.12.09 | 本发明涉及一种柔性器件的互连方法及所用的柔性连结器。其特征在于柔性器件的互连方法包括步骤：a)按照柔 |
| 12 | CN102945683B | 一种相变存储的快速擦写操作方法 | 2016.08.31 | 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述 |
| 13 | CN1629319A | 一种生物微喷阵列点样装置及其制作方法 | 2005.06.22 | 本发明涉及一种生物微喷阵列点样装置及制作方法，其特征在于点阵装置的主体结构依次由四层组成，最上面一层 |
| 14 | CN104064631B | 降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件 | 2016.08.31 | 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子 |
| 15 | CN103943512B | 一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后 |
| 16 | CN104467904B | 一种基于收发双源本振的毫米波收发前端 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种基于收发双源本振的毫米波收发前端，发射本振基频源用于产生发射工作频率信号，接收本振基频 |
| 17 | CN101054162A | 经氧化物修饰的硼氢化锂储氢材料及制备方法 | 2007.10.17 | 本发明涉及一种经氧化物修饰的硼氢化锂储氢材料及制备方法，其特征在于所述的储氢材料的通式为(100－x |
| 18 | CN1635160A | 口腔根管微生物感染检测微阵列芯片制作方法和使用方法 | 2005.07.06 | 本发明公开了一种口腔根管微生物感染检测微阵列芯片的制备方法和使用方法。本发明的口腔根管微生物感染检测 |
| 19 | CN105810694A | 用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法 | 2016.07.27 | 本发明提供一种用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法，所述绝缘体上硅衬底，包括：底层 |
| 20 | CN103985788B | 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形 |
| 21 | CN1371139A | 球磨法制备锂离子电池负极材料用锂金属氮化物 | 2002.09.25 | 本发明涉及一种用球磨法制备锂金属氮化物,它用作锂电池负极材料,其特征在于在惰性气体下将氮化锂粉末和金 |
| 22 | CN101118607A | 实时探测单电子自旋态的方法 | 2008.02.06 | 本发明涉及了一种实时探测单电子自旋态的方法。当量子点能级由于外磁场而发生Zeeman分裂或与电极间的 |
| 23 | CN1585170A | 用于锂离子电池负极的可逆脱嵌锂材料及制备方法 | 2005.02.23 | 本发明涉及用于锂离子电池负极的可逆脱嵌锂材料及制备方法，属于锂离子电池领域。其特征在于材料的化学式为 |
| 24 | CN105931665A | 一种相变存储器读出电路及方法 | 2016.09.07 | 本发明提供一种相变存储器读出电路及方法，包括存储数据的目标相变存储单元阵列；非晶态参考相变存储单元列 |
| 25 | CN103560153B | 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层 |
| 26 | CN105895801A | 利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法 | 2016.08.24 | 本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬 |
| 27 | CN105895294A | 一种超导二阶梯度线圈及其制造方法 | 2016.08.24 | 本发明提供一种超导二阶梯度线圈及其制造方法，包括梯度线圈支架、接收线圈、中补偿线圈、上补偿线圈和双绞 |
| 28 | CN1905077A | 相变存储器器件单元测试系统及测试方法 | 2007.01.31 | 本发明涉及一种相变存储器器件单元的测试系统及测试方法，其特征在于所述的测试系统是由控制计算机、脉冲信 |
| 29 | CN1629351A | 易活化的钛基储氢合金及其制备方法 | 2005.06.22 | 本发明涉及一种易活化的钛基储氢合金及其制备方法，其特征在于组成分别为TiFe<SUB>x－y</SU |
| 30 | CN101039101A | 固定频率脉宽调制电路的噪声抑制技术 | 2007.09.19 | 本发明涉及一种固定频率脉宽调制电路的噪声抑制技术，采用积分器，比较器和负载发生器电路组成的监测脉宽调 |
| 31 | CN104236766B | 封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法 | 2016.09.14 | 本发明提供一种封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法。所述芯片至少包括：形成在单晶硅 |
| 32 | CN1880211A | 电磁激励高阶模态硅微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用 | 2006.12.20 | 本发明涉及一种用于电磁激励高阶模态谐振硅微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用，属微机械传感器技术领 |
| 33 | CN100446158C | 一种实现碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法 | 2008.12.24 | 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将 |
| 34 | CN1786718A | 悬臂梁－质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器 | 2006.06.14 | 本发明涉及一种悬臂梁－质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器其特征在于(1)质量块由悬臂梁支撑，组成 |
| 35 | CN101329906A | 非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法 | 2008.12.24 | 本发明揭示了一种非易失顺序模块式存储器，所述存储器被分割为若干存储块，每个存储块的数据信息分配一个统 |
| 36 | CN1889233A | 一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法 | 2007.01.03 | 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电 |
| 37 | CN101388401A | 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法 | 2009.03.18 | 本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体 |
| 38 | CN103367473B | 一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器 | 2016.12.14 | 本发明提供一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器，包括：半导体衬底、金属反射层、多量子阱结构、以及 |
| 39 | CN104071745B | 一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法 | 2016.06.15 | 本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111） |
| 40 | CN1599068A | 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法 | 2005.03.23 | 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压 |
| 41 | CN103646910B | 一种SGOI结构的制备方法 | 2016.06.15 | 本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面外延 |
| 42 | CN103246610B | 基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法 | 2016.06.15 | 本发明提供一种基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法，该嵌入式系统包括预存有内核及文件系统启 |
| 43 | CN105951055A | 一种二维锡烯材料的制备方法 | 2016.09.21 | 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn |
| 44 | CN101038979A | 补偿型螺旋微带谐振单元及分支线耦合器 | 2007.09.19 | 本发明公开了一种补偿型螺旋微带谐振单元其包括输入端、输出端、螺旋微带线和中间微带线，螺旋微带线以中间 |
| 45 | CN101654715A | 基于量子点共振能量转移检测HBV DNA及单碱基突变的方法 | 2010.02.24 | 本发明涉及一种基于量子点共振能量转移检测HBV DNA及单碱基突变的方法，包括：MPA包裹的CdSe |
| 46 | CN1291037C | 一种芯片原位聚合酶链反应检测目标基因的方法 | 2006.12.20 | 一种利用基因芯片的检测方法，是在芯片表面进行原位PCR反应对待测基因进行检测的方法。将普通PCR反应 |
| 47 | CN103675365B | 一种微机械芯片测试探卡及其制作方法 | 2016.06.29 | 本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁 |
| 48 | CN102103263B | 集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动器及应用 | 2016.06.08 | 一种集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动器及其在波长选择开关中的应用，其集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动 |
| 49 | CN1172376C | 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法 | 2004.10.20 | 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/Si<SUB>1-X</SU |
| 50 | CN102843108B | 一种高效线性化射频功率放大装置及方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种高效线性化射频功率放大装置及方法，该装置包括射频功率放大器用以放大射频信号；自适应极限 |
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